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      硅襯底LED芯片

      晶能光電硅襯底大功率LED芯片是基于獲得2015年度國家技術發明獎一等獎的硅襯底氮化鎵基LED技術制造,具有電流分布均勻擴散快,單面出光,方向性好,光品質好,所以特別適合汽車照明、探照燈、礦燈等移動照明、手機閃光燈以及光品質要求比較高的高端照明領域。


      產品型號尺寸 (mil)電流范圍 (mA)主波長 (nm)?
      LPTBG32B?32x32?350~500445~465?
      LPTBG36A?36x36?350~700445~465?
      LPTBG45A45x45?350~1000445~465?
      LPTBG56D56x56?350~1500445~465?
      LPTBG81B81x81350~2000445~465


      應用領域

      便攜式照明

      手機閃光燈

      車用照明

      特殊照明

      室內外照明

      特點和優點

      ● 采用銀反射鏡電極,電流分布更均勻,可用大電流驅動

      ● 硅襯底比藍寶石襯底散熱好

      ● 具有朗伯發光形貌,白光出光均勻,容易二次配光

      ● 打線少,可靠性高

      ● 可采用導電銀膠,焊錫或共晶焊固晶

      ● 硅襯底LED芯片單面出光,且分布均勻,適合做熒光粉直涂的直接白光芯片,降低封裝成本

      ● 適合于陶瓷基板封裝,使大功率封裝容易自動化

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